INCUBATION 「DIAM」
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窒化アルミニウム（AlN）の放熱基板は、高い放熱性と電気絶縁性の両方を実現
熱伝導率250W/mkの取り扱いを開始
機能性素材 | 窒化アルミニウム（AlN） | 窒化アルミニウム（AlN）基板
高い放熱性と、電気絶縁性の両方を実現できる窒化アルミニウム基板です。絶縁を保ちながら熱を逃がす役割として、5G時代のパワー半導体や光通信レーザー用の放熱基板として使用されています。
汎用グレード170W/mk、高熱伝導グレード200W/mkに加え、超高熱伝導グレード250W/mkの取り扱いを開始しました。より放熱の必要な電子デバイス放熱基板として高いご評価を得ております。
半導体レーザー（レーザーダイオード）サブマウント、パワー半導体基板
| 特性/Grade | FAN-170 | FAN-200 | FAN-250F | |
|---|---|---|---|---|
| 熱伝導率 | W/m・K（RT） | 170 | 200 | 250 |
| 熱放射率 | （100℃） | 0.93 | ||
| 熱膨張係数 | 10-6/℃（RT～400℃） | 4.5 | ||
| 絶縁抵抗 | Ω・cm（RT） | ＞1013 | ||
| 絶縁耐圧 | kV/mm（RT） | 15 | ||
| 誘電率 | （1MHz） | 8.8 | ||
| 誘電損失 | 10-4（1MHz） | 5 | ||
| 曲げ強度 | MPa | 350 | ||
| 密度 | g/cm3 | 3.3 | ||
| Y（イットリウム） | wt% | 3.4 | ||
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