高い放熱性と電気絶縁性の両方を実現できる窒化アルミニウム(AlN)基板です。
絶縁しながら熱を逃がす役割として、5G時代のパワー半導体や光通信レーザー用の放熱基板として使用されています。
ビジネス分野
  • パワー半導体
  • 光通信レーザー用サブマウント
  • 概要
  • 仕様
  • 焼結した窒化アルミニウムのブロックをスライス加工しているため、大面積や1mmt以上の厚物、小ロットのお引き合いにも対応、面粗さもRa=1μmから鏡面まで対応可能です。
  • 現在熱伝導率MAX230Wよりも更に高熱伝導率品の開発も進めており、引き続き高品質品基板をご提供してまいります。
  • 【熱伝導率】90W/k、170W、200W、230W更に高熱伝導品も開発中【外形寸法(最大)】 200 (mm)
  • 【板厚寸法】0.25~1(mm)
  • 【表面粗度】Ra ≦ 0.8 (μm)
  • 【レーザー加工】適宜対応可
特長
  • アルミナの約6倍の熱伝導率。MAX230Wで、更に高熱伝導品を開発中。
  • シリコン(Si)にマッチした熱膨張係数を有する。
  • 耐熱衝撃性が高く、急熱、急冷に対する高い信頼性を実現。
  • 高電気絶縁性、低誘電率。
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アドバンスドテクノ事業部

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