アドバンスドテクノ事業部

ADVANCED TECHNOLOGY

デバイス | 窒化アルミ焼結体

放熱基板

独自の焼成技術と加工技術によるAlN基板。 
5G時代に向け、SiC、GaNなどのパワー半導体やハイパワーレーザ用の放熱基板として使用されます。

取り扱いメーカー

アプリケーション

・熱伝導・熱放射率が大きく、放熱性が高い
・Siにマッチした熱膨張係数を有する
・熱衝撃に強く、急熱・急冷に耐える
・高電気絶縁性
・各種メタライズが可能

特長

・熱伝導率が高く、放熱性が高い。(アルミナ比約6倍)
・シリコン(Si)にマッチした熱膨張係数を有する。
・耐熱衝撃性が高く、急熱、急冷に対する高い信頼性を実現。
・高電気絶縁性、低誘電率。

仕様

外形寸法(最大) 200 (mm)
板厚寸法 0.25~1(mm)
表面粗度 Ra ≦ 0.8 (μm)
レーザー加工 適宜対応可

データ

特性表

特性 K-Grade170 K-Grade200 K-Grade230
熱伝導率 W/m・K(RT) 170 200 230
熱放射率 (100℃) 0.93
熱膨張係数 10-6/℃(RT~400℃) 4.5
絶縁抵抗 Ω・cm(RT) >1013
絶縁耐圧 kV/mm(RT) 15
誘電率 (1MHz) 8.8
誘電体損失 10-4(1MHz) 5
曲げ強度 Mpa 350
密度 g/cm3 3.3
Y(イットリウム) % 3.4

用途

・放熱基板

・半導体用基板

・パワー抵抗器用基板

・薄膜回路基板

・LEDパッケージ用基板

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