＜半導体製造装置用部品＞
・サセプター各種
・ヒーター均熱版
・静電チャック
・真空チャック
・カバープレート
＜有機ELパネル製造用＞
・アルミ蒸着ルツボ
窒化アルミニウム（AlN）は、熱伝導性･放熱性、耐熱衝撃性、電気絶縁性に優れた材料です。
半導体製造装置（前工程用）には、デザインルール微細化（0.18μm以下）とウェーハ大口径化（Φ300ｍｍ以上）への対応が求められています。
それには装置を構成する部品の材料の選定が極めて重要となりますが、 窒化アルミニウムはそれにマッチした特性バランスの良い材料で、かつSiに近い熱膨張係数を持ってるので、ウェーハにストレスを与えません。
今後の5G時代に向け、GaNなどのパワー半導体製造装置用部品として使用されます。
取り扱いメーカー
アプリケーション
特長
・金属アルミと同等の熱伝導率を有する。
・熱放射率が大きく、均熱性が高い。
・電気絶縁性が高い。
・耐熱衝撃性に優れ、急熱・急冷に耐える。
・Siにマッチした低熱膨張で、温度変化によるウェーハの変形を防ぎ、また、デポ膜の剥離によるパーティクル発生を低減する。
・フッ素系ガスに対する耐食性に優れている。
・耐プラズマ性に優れている。
・高熱伝導、汎用など、用途にマッチしたグレードを選定できる。
仕様
特性表
| 特性 | Grade90 | Grade170 | Grade200 | Grade230 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 熱伝導率 | W/m・K(RT） | 90 | 170 | 200 | 230 |
| 熱放射率 | （100℃） | 0.93 | |||
| 熱膨張係数 | 10-6／℃(RT~400℃) | 4.5 | |||
| 絶縁抵抗 | Ω・cm(RT) | ＞1013 | |||
| 絶縁耐圧 | kV／mm(RT) | 15 | |||
| 誘電率 | (1MHz) | 8.8 | |||
| 誘電体損失 | 10-4（1MHz) | 5 | |||
| 曲げ強度 | Mpa | 350 | |||
| 密度 | g／cm3 | 3.2 | 3.3 | ||
| Y（イットリウム） | % | 0.0 | 3.4 | ||
| O（酸素） | % | 0.6 | 1.7 | ||
| 特長 | 高純度 | 汎用 | 高熱伝導 | 高熱伝導 | |
